Wide Bandgap: WBG Semiconductors for Revolutionizing EV Energy & Energy Storage Systems
“….ปัจจุบัน สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง คือ สารกึ่งตัวนำ ตัวใหม่ที่กำลังจะเข้ามาปฏิวัติพลังงานรถยนต์ไฟฟ้า และระบบจัดเก็บพลังงาน มาพร้อมด้วยแล้ว …”
สารกึ่งตัวนำไฟฟ้า หรือเซมิคอนดักเตอร์ Semiconductors คือ วัสดุที่มีค่าการนำไฟฟ้าอยู่ระหว่างค่าของตัวนำไฟฟ้า เช่น ทองแดง และฉนวน เช่น แก้ว .. ค่าความต้านทาน Resistance ของพวกมันจะลดลงเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้น ซึ่งตรงกันข้ามกับพฤติกรรมของโลหะ Opposite of the Behavior of Metals .. คุณสมบัติการนำไฟฟ้าของพวกมัน อาจเปลี่ยนแปลงไปในทางที่เป็นประโยชน์ด้วยการผสมใส่สารเจือปนเข้าไปในโครงสร้างผลึก Crystal Structure เมื่อมีบริเวณที่เจือปนนั้นต่างกัน 2 แห่งในผลึกเดียวกัน ชุมทางจุดเชื่อมต่อสารกึ่งตัวนำที่เป็น Semiconductor Junction จะถูกสร้างขึ้น .. พฤติกรรมของตัวนำพาประจุ Behavior of Charge Carriers ซึ่งรวมถึงอิเล็กตรอน Electrons, ไอออน Ions และหลุมอิเล็กตรอน Electron Holes ที่จุดเชื่อมต่อเหล่านี้ คือ พื้นฐานของไดโอด Diodes, ทรานซิสเตอร์ Transistors และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สมัยใหม่ส่วนใหญ่ ..
ตัวอย่างของสารกึ่งตัวนำ Semiconductors ได้แก่ ซิลิกอน Silicon: 14Si, เจอร์เมเนียม Germanium: 32Ge, แกลเลียมอาร์เซไนด์ Gallium Arsenide: GaAs และธาตุที่อยู่ใกล้เคียงสิ่งที่เรียกว่า “Metalloid Staircase” ในตารางธาตุ .. นอกจากซิลิคอน Silicon: 14Si แล้ว แกลเลียมอาร์เซไนด์ Gallium Arsenide: GaAs คือ สารกึ่งตัวนำที่พบมากเป็นอันดับสอง Second – Most Common Semiconductors และนิยมประยุกต์ใช้งานในเลเซอร์ไดโอด Laser Diodes, เซลล์แสงอาทิตย์ Solar Cells, วงจรรวมความถี่ไมโครเวฟ Microwave – Frequency Integrated Circuits และอื่น ๆ อีกมากมาย .. อย่างไรก็ตาม ซิลิคอน Silicon: 14Si ถือเป็นองค์ประกอบสำคัญยิ่งยวดสำหรับการผลิตวงจรอิเล็กทรอนิกส์ Production of Electronic Circuits ส่วนใหญ่ ..
ปัจจุบัน สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors คือ สารกึ่งตัวนำ Semiconductor ตัวใหม่ที่กำลังจะเข้ามาปฏิวัติพลังงานรถยนต์ไฟฟ้า Revolutionizing EV Energy และระบบจัดเก็บพลังงาน Energy Storage Systems มาพร้อมด้วยแล้ว .. นวัตกรรมใหม่ล่าสุดด้านประสิทธิภาพของรถยนต์ไฟฟ้า Next Frontier in EV Efficiency ได้แก่ การปรากฏตัวของสารกึ่งตัวนำแบบแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors ซึ่งสะท้อนถึงยุคใหม่ที่แบตเตอรี่ Batteries และความเร็วในการชาร์จ Charging Speeds ได้ก้าวไปอีกขั้นหนึ่งแล้ว ด้วยการทำงานร่วมกับระบบ WBG อย่างสมบูรณ์ ขณะที่ซิลิคอนแบบดั้งเดิม Traditional Silicon: 14Si เป็นวัสดุหลักของอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์มาก่อนหน้านี้นานหลายทศวรรษ ..
อย่างไรก็ตาม เมื่อตลาดรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicle: EV Market ต้องการการชาร์จที่เร็วขึ้น Faster Charging, ระยะทางที่ไกลขึ้น Longer Range และชิ้นส่วนที่มีขนาดเล็กลง Smaller Components ส่งผลให้ซิลิคอน Silicon: 14Si ดูเหมือนจะกำลังมาถึงขีดจำกัดทางกายภาพแล้ว โดยสารกึ่งตัวนำแบบแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors ซึ่งส่วนใหญ่ คือ ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN กำลังเข้ามาปฏิวัติเชิงโครงสร้าง และวิธีการจัดการพลังงาน Stepping In to Structural Revolutionize How Energy is Managed ครั้งสำคัญ ภายในรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs จากนี้ไป .. พวกมัน สามารถเอาชนะข้อจำกัดทางกายภาพของซิลิคอนแบบดั้งเดิม Traditional Silicon: 14Si และช่วยให้รถยนต์ไฟฟ้าวิ่งได้ไกลขึ้น ชาร์จเร็วขึ้น และทำงานได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้นได้จริง ลดการสูญเสียพลังงาน ทำให้ชิ้นส่วนมีขนาดเล็กลง เบาขึ้น และทนความร้อนได้มากขึ้นมาพร้อมด้วย ..
เพื่อตอบคำถามสำคัญ Key Question ว่า อะไรทำให้ “แถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap” แตกต่างออกไปนั้น พบว่า “แถบพลังงาน Bandgap” หมายถึง พลังงานที่จำเป็นในการผลักอิเล็กตรอนให้ข้ามจากแถบวาเลนซ์ไปยังแถบนำไฟฟ้า Energy Required to Kick an Electron from the Valence Band to the Conduction Band เพื่อให้สามารถไหลเป็นกระแสไฟฟ้าได้ โดยสามารถนำซิลิคอน Silicon: 14Si, ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN มาเทียบเคียงแถบพลังงาน Bandgap กันได้ด้วยค่าพลังงานหน่วยเป็นอิเล็กตรอนโวลต์ eV เพื่อสร้างกระแสไฟฟ้า Generate Electricity ดังนี้ :-
– ซิลิคอน Silicon: 14Si : แถบพลังงาน Bandgap ประมาณอยู่ที่ 1.1 eV ..
– ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC : แถบพลังงาน Bandgap ประมาณอยู่ที่ 3.2 eV ..
– แกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN : แถบพลังงาน Bandgap ประมาณอยู่ที่ 3.4 eV ..
เนื่องจากวัสดุสารกึ่งตัวนำ Semiconductors เหล่านี้ ต้องการพลังงานมากกว่าในการเคลื่อนย้ายอิเล็กตรอน Require More Energy to Move Electrons จึงมีคุณสมบัติทางกายภาพที่เหนือกว่า ซึ่งเป็นประโยชน์โดยตรงต่อการใช้งานที่ต้องการพลังงานสูง เช่น รถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs เป็นต้น .. ทั้งนี้ การที่วัสดุสารกึ่งตัวนำ WBG Semiconductors มีค่าพลังงาน Bandgap สูงกว่า 3 eV ขณะที่ ซิลิคอน Silicon: 14Si อยู่ที่ประมาณ 1.1 eV หมายความว่า พวกมันสามารถทนสนามไฟฟ้าแรงสูงได้มากกว่าซิลิกอน Silicon: 14Si ถึง 10 เท่า ทำให้สามารถทำงานที่แรงดันไฟฟ้าสูง ๆ ได้โดยไม่พังเสียหาย จึงเหมาะมากสำหรับรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs และระบบแปลงพลังงาน Energy Conversion System ..
นอกจากนั้นแล้ว พวกมันยังทนความร้อนได้สูงกว่า High – Temperature Operation เนื่องจากอิเล็กตรอน Electrons ต้องการพลังงานมากกว่าในการข้าม Bandgap ไปยัง Conduction Band ทำให้วัสดุสารกึ่งตัวนำ WBG Semiconductors เสถียร และทำงานได้ดีแม้ในอุณหภูมิที่สูงเกิน 300 oC ในขณะที่ซิลิกอน Silicon: 14Si จะเริ่มเสียหายแล้ว ทำให้ลดความจำเป็นในการใช้ระบบระบายความร้อนที่ซับซ้อน และมีน้ำหนักมาก Reduce the Need for Complex & Heavy Cooling Systems และส่งผลให้ระบบโดยรวม Overall Systems มีขนาดเล็ก และเบาลง Smaller & Lighter ได้อย่างยอดเยี่ยม ..
ยิ่งไปกว่านั้น สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors มีความหนาแน่นของสนามไฟฟ้าวิกฤติสูง ทำให้สามารถออกแบบชั้น Drift Region ให้บางลง ส่งผลให้ความต้านทานขณะเปิด On – State Resistance ต่ำลง ลดการสูญเสียพลังงาน การปล่อยคายความร้อนลดลง และทำให้เครื่องชาร์จ หรืออินเวอร์เตอร์ในรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs มีขนาดเล็กลงแต่มีประสิทธิภาพในการแปลงไฟฟ้าที่สูงขึ้น ..
อย่างไรก็ตาม จนถึงวันนี้ การประยุกต์ใช้งานจริง ได้แก่ การใช้ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC ในอินเวอร์เตอร์ Inverters และเครื่องชาร์จ Chargers ในรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs ช่วยให้รถวิ่งได้ไกลขึ้น Longer Driving Range และชาร์จได้รวดเร็วขึ้น Faster Charging ขณะเดียวกัน ก็มีการใช้งานแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN ในอุปกรณ์ชาร์จเร่งด่วน Fast Chargers ซึ่งทำให้หัวชาร์จขนาดเล็กแต่สามารถจ่ายกำลังไฟฟ้าได้สูงกว่า เป็นต้น .. โดยสรุป คือ การที่ต้องใช้พลังงานสูงขึ้นในการเคลื่อนย้ายอิเล็กตรอน Higher Energy Required to Move Electrons นั้น แถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap คือ “ข้อได้เปรียบทางกายภาพ Physical Advantage” ที่ทำให้วัสดุเหล่านี้ ทำงานได้ภายใต้สภาวะที่โหดร้ายกว่า Operate Under Harsher Conditions หรือในสภาวะความร้อนสูง และแรงดันสูง High Temperature & High Pressure Conditions โดยมีประสิทธิภาพการประหยัดพลังงานที่สูงกว่า Higher Energy Efficiency ..
ปัจจุบัน เป็นที่ชัดเจนแล้วว่า การเปลี่ยนออกไปจากเซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนแบบดั้งเดิม Shift from Traditional Silicon: 14Si Semiconductors ไปเป็นเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors คือ หนึ่งในรากฐานทางเทคนิคที่สำคัญที่สุดสำหรับการเปลี่ยนผ่านพลังงานทั่วโลก One of the Most Critical Technical Foundations for the Global Energy Transition .. ในขณะที่ มนุษยชาติ กำลังมุ่งสู่เป้าหมายอนาคตที่เป็นกลางทางคาร์บอน Carbon – Neutral Future และความสามารถในการจัดการ แปลง และขนส่งกระแสไฟฟ้า The Ability to Manage, Convert & Transport Electricity โดยมีการสูญเสียน้อยที่สุด Minimal Loss จึงกลายเป็นข้อได้เปรียบในการแข่งขันขั้นสูงสุด Ultimate Competitive Advantage นั่นเอง ..
บทบาทของซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN ในอนาคตของการจัดเก็บพลังงาน Energy Storage Future และการเปลี่ยนผ่านด้านพลังงาน Energy Transition ..
ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN กำลังกลายเป็นแกนหลักของการเปลี่ยนผ่านพลังงานระดับโลก Backbone of the Global Energy Transition โดยการก้าวข้ามข้อจำกัดของซิลิคอนแบบดั้งเดิม Traditional Silicon: 14Si ในฐานะสารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors .. พวกมันช่วยให้ได้มาซึ่งประสิทธิภาพที่สูงขึ้น Higher Efficiency, ความถี่ในการสวิตช์เร็วขึ้น Faster Switching Frequencies และทนต่อความร้อนได้ดีเยี่ยม Superior Heat Tolerance ทำให้พวกมันมีความสำคัญอย่างยิ่งสำหรับยานยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs, ระบบพลังงานหมุนเวียน Renewable Energy Systems และการจัดเก็บพลังงานด้วยชุดแบตเตอรี่ขั้นสูง Advanced Battery Energy Storage ..
คาดหมายได้ว่า ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN กำลังปฏิวัติการจัดเก็บ และการแปลงพลังงาน Revolutionizing Energy Storage & Energy Conversion โดยการแทนที่ซิลิคอนแบบดั้งเดิม Traditional Silicon: 14Si ด้วยเทคโนโลยีแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Technology ทำให้ระบบสามารถทำงานที่แรงดันไฟฟ้า อุณหภูมิ และประสิทธิภาพที่สูงขึ้น Operate at Higher Voltages, Temperatures & Efficiencies .. ในปี 2569 วัสดุเหล่านี้ มีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการเร่งการเปลี่ยนผ่านไปสู่พลังงานสีเขียว Accelerate the Transition to Green Energy ทำให้การชาร์จเร็วขึ้น Faster Charging, ระยะทางการขับขี่ของ Electric Vehicles: EVs ยาวไกลขึ้น และมีประสิทธิภาพสูงขึ้น Higher Efficiency ในระบบจัดเก็บพลังงานขนาดใหญ่ระดับโครงข่ายระบบสายส่ง Grid – Scale Energy Storage Systems ..
เนื่องจากภูมิทัศน์ด้านพลังงานทั่วโลก Global Energy Landscape กำลังเปลี่ยนไปสู่การรูปแบบการกระจาย Decentralization และความเป็นกลางทางคาร์บอน Carbon Neutrality ขณะที่สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors กำลังเปลี่ยนจากส่วนประกอบ “ทดลอง Experimental” ไปสู่ “แกนหลักของระบบจัดเก็บพลังงานด้วยชุดแบตเตอรี่สมัยใหม่ Backbone of Modern Battery Energy Storage Systems: BESSs” อย่างรวดเร็ว ..
แม้ว่ากระแสความสนใจส่วนใหญ่เกี่ยวกับซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN จะมุ่งเน้นไปที่รถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs แต่บทบาทของพวกมันในการจัดเก็บพลังงานแบบอยู่กับที่ Stationary Energy Storage และการรักษาเสถียรภาพของโครงข่ายระบบสายส่งกำลังไฟฟ้า Grid Stabilization ต่างหากที่จะเป็นตัวขับเคลื่อนให้โครงข่ายระบบสายส่งกำลังไฟฟ้าที่ใช้พลังงานหมุนเวียนมีสัดส่วนมากขึ้น Ultimately Enable a Renewable – Heavy Power Grids ให้สำเร็จได้ในที่สุด ..
ทั้งนี้ แนวโน้มบทบาทของสารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors ในการเปลี่ยนผ่านพลังงาน และอนาคตของการจัดเก็บพลังงาน Energy Transition & Storage Future ในปี 2569 สรุปเป็นประเด็นสำคัญได้ดังนี้ :-
– รถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs : ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC กำลังเปลี่ยนแปลงอินเวอร์เตอร์ Inverters สำหรับระบบขับเคลื่อน ซึ่งเพิ่มระยะทางการขับขี่ได้สูงสุดถึง 15 % เนื่องจากประสิทธิภาพที่สูงขึ้น และการสูญเสียที่ลดลง .. การใช้งานซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC ในอินเวอร์เตอร์รถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicle: EV Inverters คาดว่าจะเพิ่มขึ้นจาก 15 % ในปี 2564 เป็น 45 % ในปี 2569 ทำให้เป็นเทคโนโลยีหลักสำหรับสถาปัตยกรรมเทคโนโลยีระบบไฟฟ้าแรงดันสูงในรถยนต์ไฟฟ้า 800 V Architecture หมายถึง สถาปัตยกรรมระบบขับเคลื่อน และแบตเตอรี่รถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs รุ่นใหม่ที่ใช้แรงดันไฟฟ้าสูงถึง 800 – 900 V แทนที่ระบบ 400 V มาตรฐานเดิม เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการชาร์จให้เร็วขึ้น หรือการชาร์จเร่งด่วน Ultra – Fast Charging โดยสามารถชาร์จกำลังไฟฟ้าได้สูงถึงมากกว่า 160 – 350 KW+ ซึ่งช่วยลดเวลาการชาร์จจาก 10 – 80 % ได้ในเวลาเพียงประมาณ 10 – 15 นาที เท่านั้น .. ทั้งนี้ เทคโนโลยีนี้ ช่วยแก้ปัญหาเรื่องระยะเวลาในการชาร์จ ทำให้การใช้งานรถรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs สะดวกใกล้เคียงกับการเติมน้ำมันมากขึ้น ..
– การผลิตพลังงานหมุนเวียน Renewable Energy Generation : ในการใช้งานพลังงานแสงอาทิตย์และพลังงานลม Solar & Wind Applications นั้น อุปกรณ์ Wide Bandgap: WBG Devices ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของตัวแปลงพลังงานไฟฟ้า Enhance the Efficiency of Power Converters ทำให้มีความหนาแน่นของพลังงานสูงขึ้น และลดขนาดของส่วนประกอบลงได้อีกมาก ..
– ระบบจัดเก็บพลังงานด้วยชุด Battery Energy Storage Systems: BESS : ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN คือ ส่วนประกอบสำคัญในการจัดเก็บพลังงานแบตเตอรี่ Battery Energy Storage, ปรับปรุงประสิทธิภาพของตัวแปลง DC – DC Converters และสถานีชาร์จแบบสองทิศทาง Bidirectional Charging Stations .. พวกมันลดการสูญเสียพลังงาน และปรับปรุงการจัดการความร้อน ทำให้หน่วยจัดเก็บพลังงานมีขนาดเล็กลง มีประสิทธิภาพมากขึ้น และเบาลง ..
– โครงสร้างพื้นฐาน Infrastructure และการชาร์จเร่งด่วน Fast Charging : เทคโนโลยีแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN Technology ช่วยให้สถานีชาร์จเร็วขึ้น และกะทัดรัดมากขึ้น ทำให้สามารถชาร์จ Electric Vehicles: EVs ได้เร็วขึ้น และสูญเสียพลังงานในรูปของความร้อนน้อยลง ..
อย่างไรก็ตาม ความแตกต่างที่สำคัญในการใช้งาน สำหรับแนวโน้มทั่วโลก ในปี 2569 พบว่า :-
– ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC : พวกมัน ครองตลาดการใช้งานแรงดันสูงมากกว่า 1200 V ในอุตสาหกรรม Industrial Applications และระบบขับเคลื่อนรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicle: EV Powertrains เนื่องจากมีคุณสมบัติการนำความร้อน และความทนทานที่เหนือกว่า ..
– แกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN : พวกมัน โดดเด่นในการใช้งานความถี่สูง แรงดันต่ำถึงปานกลาง High – Frequency, Low – to – Medium Voltage อยู่ที่น้อยกว่า 650 V เช่น เครื่องชาร์จเร่งด่วนสำหรับผู้บริโภค Consumer Fast Chargers, แหล่งจ่ายไฟสำหรับเซิร์ฟเวอร์ Server Power Supplies และเครื่องชาร์จในรถยนต์ Onboard Chargers เป็นต้น ..
ภายในปี 2569 การเปลี่ยนไปใช้งานวัสดุเหล่านี้ Transition to These Materials จะเร่งตัวขึ้นเพื่อรองรับความต้องการพลังงานสูง Handle High – Power Demands ในศูนย์ข้อมูลปัญญาประดิษฐ์ Artificial Intelligence: AI Data Centers และการใช้พลังงานสีเขียวอย่างแพร่หลาย Widespread Adoption of Green Energy อย่างแน่นอนไร้ข้อสงสัย เนื่องจากเหตุผลใน 4 ประเด็นสำคัญ ได้แก่ :-
1. การเพิ่มประสิทธิภาพการแปลงพลังงานไปกลับ Enhancing Round – Trip Efficiency: RTE : ในระบบจัดเก็บพลังงาน Energy Storage Systems นั้น ประสิทธิภาพทุกเปอร์เซ็นต์มีความสำคัญ Every Percentage Point of Efficiency Matters .. อินเวอร์เตอร์แบบซิลิคอน Traditional Silicon – Based Inverters โดยทั่วไป มักสูญเสียพลังงาน อยู่ที่ 3 – 5 % ระหว่างการแปลงจากไฟฟ้ากระแสตรง Direct Current: DC จากชุดแบตเตอรี่ ไปเป็นไฟฟ้ากระแสสลับ Alternating Current: AC ในระบบสายส่ง Power Grids .. ทั้งนี้ การใช้ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC มีจุดเด่นที่เหนือชั้น ดังนี้ :-
– ข้อได้เปรียบของแถบพลังงานกว้าง The WBG Edge : ระบบแปลงพลังงานที่ใช้ซิลิคอนคาร์ไบด์ SiC – Based Power Conversion Systems: PCSs สามารถบรรลุประสิทธิภาพได้มากกว่า 98.5 % และและมักสูงถึง 99 % ในการใช้งานเฉพาะ เช่น อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ Photovoltaic: PV Inverters และโครงสร้างพื้นฐานการชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า EV Charging Infrastructure ..
– ผลกระทบ Impact : ตลอดอายุการใช้งาน Lifespan อยู่ที่ 15 ปีของระบบจัดเก็บพลังงานขนาดใหญ่ Utility – Scale Energy Storage Site นั้น การเพิ่มประสิทธิภาพเพียง 1 – 2 % จะส่งผลให้ประหยัดพลังงาน Saved Energy ได้หลายกิกะวัตต์ชั่วโมง GWh และสร้างรายได้เพิ่มขึ้นหลายล้านเหรียญสหรัฐฯ Millions of Dollars in Additional Revenue จากการเก็งกำไรพลังงาน Energy Arbitrage ..
2. การลดขนาด Radical Miniaturization และเพิ่มความหนาแน่นของพลังงาน Power Density อย่างมาก : ระบบจัดเก็บพลังงาน Energy Storage Systems มักมีพื้นที่จำกัด Space – Constrained โดยเฉพาะอย่างยิ่ง “หลังมิเตอร์ Behind – the – Meter” สำหรับการใช้งานในที่อยู่อาศัย และอุตสาหกรรม Residential & Industrial Applications ..
– การสวิตช์ความถี่สูง High – Frequency Switching : เนื่องจากซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN สามารถสวิตช์ได้ที่ความถี่สูงกว่าซิลิคอนถึง 10 เท่า ดังนั้น การใช้พวกมันในส่วนประกอบแบบพาสซีฟ Passive Components เช่น หม้อแปลง Transformers และตัวเหนี่ยวนำ Inductors จึงมีขนาดเล็กลงได้เป็นอย่างมาก ..
– ความทนทานต่อความร้อน Thermal Tolerance : วัสดุสารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors ทำงานที่อุณหภูมิสูงกว่าโดยมีการกระจายความร้อนน้อยกว่า Operate at Higher Temperatures with Less Heat Dissipation ..
– ผลลัพธ์ Result : ทำให้สามารถสร้างหน่วยจัดเก็บพลังงานด้วยชุดแบตเตอรี่ขนาดกะทัดรัด Compact BESS Units แบบ “All – in – One” ที่บรรจุจัดเก็บพลังงานได้มากขึ้นในพื้นที่ขนาดเล็กลง More KWh into a Smaller Footprint, ลดต้นทุนด้านที่ดิน และวัสดุสำหรับตัวเครื่อง Reducing the Cost of Land & Enclosure Materials ..
3. การเปิดใช้งานโครงข่ายระบบสายส่งกำลังไฟฟ้าอัจฉริยะแบบ 2 ทิศทาง Enabling Bidirectional “Smart Grids” : อนาคตของการจัดเก็บพลังงาน Future of Energy Storage ไม่ได้เป็นเพียงแค่การกักเก็บพลังงานเท่านั้น แต่เป็นการเคลื่อนย้ายพลังงานแบบไดนามิก Moving it Dynamically ซึ่งรวมถึงแอปพลิเคชัน Vehicle – to – Grid: V2G และ Vehicle – to – Home: V2H ไปพร้อมด้วย ดังนี้ :-
– ตัวแปลงแบบ 2 ทิศทาง Bi – Directional Converters : แกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการแปลงไฟฟ้ากระแสตรงแบบ 2 ทิศทางความถี่สูง High – Frequency, Bi – Directional DC – DC Conversion ที่จำเป็นต่อการเคลื่อนย้ายพลังงานระหว่างแบตเตอรี่รถยนต์ไฟฟ้า และระบบจัดเก็บพลังงานในบ้าน Move Energy Between an EV Battery & a Home Storage System ได้อย่างราบรื่น ..
– ความเสถียรของโครงข่ายระบบสายส่งกำลังไฟฟ้า Grid Stability : อินเวอร์เตอร์แถบพลังงานกว้าง WBG Inverters ตอบสนองต่อความผันผวนของโครงข่ายระบบสายส่งกำลังไฟฟ้าได้เร็วกว่า สามารถให้ “ความเฉื่อยสังเคราะห์ Synthetic Inertia” และการควบคุมความถี่ได้อย่างมีประสิทธิภาพมากกว่าซิลิคอน Silicon: 14Si รวมทั้งช่วยรักษาเสถียรภาพของโครงข่ายระบบสายส่งกำลังไฟฟ้า Stabilize the Power Grids เมื่อพลังงานแสงอาทิตย์ หรือพลังงานลมที่ไม่สม่ำเสมอลดลง ..
4. การบูรณาการเชิงกลยุทธ์กับแบตเตอรี่รุ่นใหม่ Strategic Integration with Next – Gen Batteries : ในขณะที่ วิศวกรติดตามการพัฒนาของแบตเตอรี่โซลิดสเตท Solid – State Batteries และโซเดียมไอออนแบตเตอรี่ Sodium – Ion Batteries นั้น สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors ทำหน้าที่เป็น “สมอง Brain“ ที่จำเป็นในการจัดการโปรไฟล์การชาร์จ และคายประจุที่เป็นเอกลักษณ์ของแบตเตอรี่เหล่านี้ สรุปได้ดังนี้ :-
– การจัดการแรงดันไฟฟ้าสูง Higher Voltage Management : เนื่องจากการจัดเก็บพลังงานขนาดใหญ่กำลังมุ่งไปสู่สถาปัตยกรรม 1500 V DC Architectures เพื่อลดต้นทุน สายเคเบิลซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC Cable จึงเป็นวัสดุเดียวที่สามารถรองรับแรงดันไฟฟ้าสูงเหล่านี้ได้ในขณะที่ยังคงประสิทธิภาพสูงไว้ได้ ..
– การตรวจสอบวงจรชีวิต Lifecycle Monitoring : ระบบจัดการแบตเตอรี่ที่ใช้แถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG – Based Battery Management Systems: BMSs ให้การควบคุมที่แม่นยำยิ่งขึ้นในการปรับสมดุลเซลล์แต่ละเซลล์ ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการยืดอายุการใช้งานของเทคโนโลยีการฟื้นฟู Restorative Technologies เช่น ศูนย์กลางพลังงานการเกษตรฟื้นฟู Regenerative Agriculture Power Hubs หรือไมโครกริดในชนบท Rural Microgrids เป็นต้น ..
ภายในปี 2569 อุตสาหกรรม Industry กำลังเปลี่ยนจากการมองสารกึ่งตัวนำ และแบตเตอรี่เป็นส่วนที่แยกจากกัน Viewing Semiconductors & Batteries as Separate Silos .. เป้าหมาย คือ การทำงานร่วมกันทางความร้อน Thermal Synergy โดยการใช้ค่าการนำความร้อนสูงของซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC เพื่อลดความซับซ้อนของวงจรระบายความร้อนด้วยของเหลว Simplify the Liquid Cooling Loops ที่ให้บริการทั้งอุปกรณ์ไฟฟ้ากำลังอิเล็กทรอนิกส์ Power Electronics และเซลล์แบตเตอรี่ Battery Cells .. แนวทางแบบบูรณาการนี้ช่วยลด “ภาระส่วนเกิน Parasitic Load“ หรือพลังงานที่ใช้ไปเพียงเพื่อรักษาระบบให้เย็น Energy Used Just to Keep the System Cool ซึ่งจะช่วยเพิ่มพลังงานสุทธิที่ส่งจ่ายไปยังโครงข่ายระบบสายส่งกำลังไฟฟ้า Boosting the Net Energy Delivered to the Grids ไปพร้อมได้อีกด้วย ..
ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN ในประเทศไทย และแนวโน้มสารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors ในอนาคต ..
ประเทศไทย Thailand กำลังวางตำแหน่งตัวเองอย่างรวดเร็วให้เป็นศูนย์กลางสำคัญสำหรับเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง Key Hub for Wide Bandgap: WBG Semiconductors เช่น ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN โดยบูรณาการวัสดุเหล่านี้เข้ากับแผนงานเซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติ National Semiconductor Roadmap 2050 ระยะ 25 จนถึงปี 2593 โดยมุ่งเน้นที่การประกอบ การทดสอบ และการดึงดูดการลงทุนเพื่อเปลี่ยนจากการผลิตแบบดั้งเดิม Traditional Manufacturing ไปสู่การใช้งานด้านเทคโนโลยีขั้นสูง และปัญญาประดิษฐ์ High – Tech, AI – Driven Applications ..
ภาพรวมการพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductor Development ในประเทศไทย Thailand นั้น ตลาดเซมิคอนดักเตอร์สารกึ่งตัวนำกำลังไฟฟ้าแบบแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG ของไทย กำลังเติบโตขึ้นอย่างมีนัยสำคัญมาตั้งแต่ปี 2568 แล้ว โดยเฉพาะอย่างยิ่งวัสดุสารกึ่งตัวนำที่เป็นซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN ซึ่งวัสดุเหล่านี้ มีประสิทธิภาพสูงกว่า ทนต่ออุณหภูมิได้ดีกว่า และมีขนาดเล็กกว่าซิลิคอนแบบดั้งเดิม Traditional Silicon: 14Si ทำให้มีความสำคัญอย่างยิ่งสำหรับรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs และเทคโนโลยีอัจฉริยะ Smart Technologies ..
ปัจจุบัน “แผนงานเซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติ จนถึงปี 2593 หรือ National Semiconductor Roadmap 2050” ของไทย มีเป้าหมายที่จะเปลี่ยนประเทศไทยออกไปจาก “ผู้ผลิตตามสัญญา Contract Manufacturer” ไปสู่การเป็น “เจ้าของเทคโนโลยี“ ด้วยการลงทุน มากกว่า 2.5 ล้านล้านบาทในระบบนิเวศด้านพลังงานของไทย รวมถึงการฝึกอบรมเฉพาะทางสำหรับแรงงาน มากกว่า 230,000 คน แม้ว่า เดิมทีประเทศไทยจะเป็นศูนย์กลางของการประกอบ ทดสอบ และบรรจุภัณฑ์ Assembly, Testing & Packaging: ATP แต่จนถึงวันนี้ ชัดเจนว่า ประเทศไทย Thailand กำลังเสริมสร้าง และมุ่งเน้นไปในด้านการออกแบบชิป Chip Design, บรรจุภัณฑ์ขั้นสูง Advanced Packaging และการผลิตเวเฟอร์ต้นน้ำ Upstream Wafer Fabrication .. ทั้งนี้ การลงทุนที่สำคัญ ในปี 2569 ของไทยนั้น พบการลงทุนด้านเซมิคอนดักเตอร์ Semiconductor Investment มากกว่า 10.5 พันล้านบาท สำหรับชิ้นส่วนที่มีความบริสุทธิ์สูง High – Purity Components อย่างมีนัยสำคัญ ซึ่งมีความสำคัญต่อการผลิตเวเฟอร์ Wafer Fabrication ตามที่กล่าวถึงไปแล้ว นั่นเอง ..
จนถึงวันนี้ ณ กลางปี 2569 และจากนี้ไปนั้น ประเทศไทย Thailand กำลังเปลี่ยนผ่านไปสู่เซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง Transition Toward Wide Bandgap: WBG Semiconductors โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN ได้เปลี่ยนจาก “ความเป็นไปได้ในอนาคต Future Possibility” มาเป็น “เสาหลักสำคัญของนโยบายอุตสาหกรรมแห่งชาติสำหรับปี 2569 หรือ A Central Pillar of National Industrial Policy for 2026″ ..
กลยุทธ์ Strategy นี้ มิได้เป็นเพียงแค่การประกอบชิ้นส่วนอีกต่อไป No Longer Just About Assembly แต่เป็นการสร้างความมั่นคงใน “ส่วนหน้า Front – End” ที่มีมูลค่าสูงของห่วงโซ่อุปทานเซมิคอนดักเตอร์ High – Value Semiconductor Supply Chain เพื่อสนับสนุนเป้าหมายด้านรถยนต์ไฟฟ้า และพลังงาน ของประเทศ และถือเป็นขุมพลังแห่งการปฏิวัติพลังงานสีเขียว Green Energy Revolution ในประเทศไทย สรุปเป็นประเด็นสำคัญได้ดังนี้ :-
1. ยุทธศาสตร์ระดับชาติ National Strategy โดยแผนงานเซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติ The National Semiconductor Roadmap ที่ดำเนินงานในปี 2569 : หลังจากการประชุมคณะกรรมการเซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติ National Semiconductor Board เมื่อต้นปี 2569 ที่ผ่านมา ประเทศไทย Thailand ได้กำหนดแผนงานอย่างเป็นทางการโดยให้ความสำคัญกับชิปประมวลผลกำลังสูง ชิปเซ็นเซอร์ และชิปแบบแยกชิ้น Power, Sensors & Discrete Chips ดังนี้ :-
– ความมุ่งมั่นในการพัฒนาต้นน้ำ Upstream Ambition : เป็นครั้งแรกที่รัฐบาลไทย ผลักดันอย่างจริงจังให้มีการผลิตเวเฟอร์ในประเทศไทย Pushing for Wafer Fabrication on Thai Soil โดยก้าวข้ามการประกอบ และทดสอบเซมิคอนดักเตอร์แบบจ้างเหมาภายนอกแบบดั้งเดิม Traditional Outsourced Semiconductor Assembly & Test: OSAT ในฐานะกลยุทธ์เชิงรุกของภาครัฐ โดยเฉพาะสำนักงานคณะกรรมการส่งเสริมการลงทุน หรือ บีโอไอ BOI ในการดึงดูดนักลงทุนต่างชาติให้เข้ามาตั้งโรงงานผลิต “ชิปต้นน้ำ Upstream Chips” ให้เกิดขึ้นในประเทศไทย ..
– โครงการส่งเสริมการลงทุน BOI “Red Carpet” ระดับ A1+ : คณะกรรมการส่งเสริมการลงทุนหรือ บีโอไอ BOI ได้แนะนำโครงการส่งเสริมการลงทุนระดับ A1+ Incentive Tier สำหรับบริษัทฯ ที่ลงทุนในการผลิตเวเฟอร์แถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Wafer Fabrication หรือการออกแบบอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง Advanced Electronic Design โดยสามารถได้รับการยกเว้นภาษีเงินได้นิติบุคคล Corporate Income Tax: CIT สูงสุด 13 ปี ไม่จำกัดวงเงิน เป็นต้น ..
– ชิปที่ผลิตในประเทศไทย “Made – in – Thailand” Chips : เป้าหมาย คือ การสร้างห่วงโซ่อุปทานในประเทศสำหรับสถาปัตยกรรม EV 800 V Architectures และอินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ประสิทธิภาพสูง High – Efficiency Solar Inverters ที่จำเป็นตามแผนพัฒนากำลังผลิตไฟฟ้าของประเทศ หรือ The Power Development Plan: PDP 2024 ในช่วงปี 2567 – 2580 ..
2. ผู้เล่นหลักในอุตสาหกรรมในประเทศไทย Key Industry Players in Thailand ในปี 2569 : ภูมิทัศน์เซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors Landscape ของไทย ถูกครอบงำโดยบริษัทฯ ขนาดใหญ่ที่กำลังปรับเปลี่ยนการดำเนินงานในประเทศไปสู่วัสดุแถบพลังงานกว้าง WBG Materials ตัวอย่างเช่น :-
– ฮานา ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ Hana Microelectronics :-
– ฮานา Hana ประสบความสำเร็จในการรับมือกับ “จุดต่ำสุด Bottoming Out” ของราคาซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC ในปี 2568 และกำลังเห็นการฟื้นตัวอย่างแข็งแกร่ง ในปี 2569 ..
– ในขณะที่โรงงานในเกาหลีใต้ South Korean PMS Plant ของพวกเขาจัดการกับโมดูลพลังงาน SiC Power Modules นั้น โรงงานอยุธยา Ayutthaya Plant ในประเทศไทยของบริษัท ฮานา เซมิคอนดักเตอร์ (อยุธยา) จำกัด มุ่งเน้นไปที่อุปกรณ์ระบายความร้อนที่มีกำไรสูง High – Margin Cooling Devices และชิ้นส่วนการประกอบขั้นสูง Advanced Assembly สำหรับแอปพลิเคชันปัญญาประดิษฐ์ Artificial Intelligence: AI และรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs มากขึ้น ..
– เดลต้า อิเล็กทรอนิกส์ ประเทศไทย Delta Electronics Thailand :-
– รายงานรายได้ของเดลต้า อิเล็กทรอนิกส์ ประเทศไทย Delta Electronics Thailand ทำลายสถิติในไตรมาสที่ 1 ปี 2569 อยู่ที่เกือบ 2 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ ซึ่งขับเคลื่อนโดยศูนย์ข้อมูลปัญญาประดิษฐ์ AI Data Centers และส่วนประกอบพลังงานยานยนต์ไฟฟ้า EV Power Components ..
– เดลต้า Delta คือ บริษัทตัวขับเคลื่อนหลักของการนำแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN มาใช้ในประเทศไทย โดยใช้สำหรับตัวแปลงไฟฟ้ากระแสตรงขนาดเล็กพิเศษ Ultra – Compact DC – DC Converters และแหล่งจ่ายกำลังไฟฟ้าประสิทธิภาพสูง High – Efficiency Power Supplies สำหรับตลาดในภูมิภาค Regional Market ..
– บริษัทที่น่าสนใจอื่นๆ Other Notables : บริษัทต่าง ๆ Companies เช่น บริษัท ไมโครชิปเทคโนโลยี Microchip Technology และบริษัท โรห์ม อินทิเกรเต็ด ซิสเต็มส์ Rohm Integrated Systems ยังคงขยายฐานธุรกิจในประเทศไทย โดยมุ่งเน้นไปที่ส่วนประกอบของซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN Discrete Components แบบแยกชิ้นสำหรับยานยนต์ Automotive – Grade ..
3. แนวโน้มในอนาคต และการประสานงานกับนโยบายพลังงาน Future Trends & Synergy with Energy Policy : แนวโน้มสารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors ในประเทศไทย มีความเชื่อมโยงอย่างแยกไม่ออกกับแผนพัฒนาพลังงาน Power Development Plan: PDP 2024 และโมเดลเศรษฐกิจชีวภาพหมุนเวียนสีเขียว Bio – Circular – Green: BCG Economic Model ของไทย ประกอบไปด้วย :-
– เป้าหมายกำลังไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน The 51% Renewable Electricity Target : แผนพัฒนากำลังผลิตไฟฟ้าของประเทศไทย ปี 2567 – 2580 หรือ PDP 2024 ตั้งเป้าหมายไว้ที่ กำลังไฟฟ้าพลังงานหมุนเวียน 51 % ภายในปี 2580 ซึ่งจำเป็นต้องมีการติดตั้งระบบจัดเก็บพลังงานด้วยชุดแบตเตอรี่ Battery Energy Storage Systems: BESSs จำนวนมาก ซึ่งสารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors คือ “ตัวขับเคลื่อน” ในกรณีนี้ :-
– ประสิทธิภาพ Efficiency : อินเวอร์เตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ SiC inverters กำลังได้รับความสำคัญเป็นอันดับแรกสำหรับฟาร์มพลังงานแสงอาทิตย์ขนาดใหญ่ Utility – Scale Solar Farms ในภาคตะวันออกเฉียงเหนือ เพื่อลดการสูญเสียในการส่งจ่าย Minimize Transmission Losses ..
– การบูรณาการ V2G Integration : ในฐานะส่วนหนึ่งของนโยบาย EV 3.5 Policy มีแนวโน้มที่จะทดสอบเทคโนโลยี Vehicle – to – Grid: V2G ในกรุงเทพฯ ซึ่งเครื่องชาร์จแบบ 2 ทิศทางที่ใช้แกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN ช่วยให้รถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs ทำหน้าที่เป็นแบตเตอรี่เคลื่อนที่สำหรับโครงข่ายระบบสายส่งกำลังไฟฟ้าของเมือง Mobile Batteries for the City’s Grids ได้อย่างยอดเยี่ยม ..
– การเปลี่ยนไปใช้โครงสร้างพื้นฐาน 800 V Infrastructure : ประเทศไทย Thailand กำลังวางตำแหน่งตัวเองเป็นศูนย์กลางระดับภูมิภาคสำหรับการชาร์จไฟฟ้ากำลังสูง Regional Hub for High – Power Charging: HPC .. ทั้งนี้ โครงสร้างพื้นฐาน 800 V Infrastructure หมายถึง ระบบสถาปัตยกรรมแรงดันไฟฟ้าสูงที่ทำงานในช่วงประมาณ 600 – 900 Volts ซึ่งถูกนำมาใช้แทนที่ระบบ 400 V Infrastructure แบบเดิม เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพในการส่งถ่ายพลังงาน, ลดความร้อน และรองรับการชาร์จที่รวดเร็วขึ้นในยานยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs และอุปกรณ์อุตสาหกรรม Industrial Equipments ซึ่งพวกมัน คือ คำตอบสำหรับปัญหาความร้อน และข้อจำกัดในการชาร์จของระบบเดิม โดยเน้นการเพิ่มประสิทธิภาพสูงสุดผ่านแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่า ..
– ภายในปี 2569 แนวโน้มจะเปลี่ยนจาก “เครื่องชาร์จมาตรฐาน 50 KW” ไปสู่ “เครื่องชาร์จเร็วพิเศษ Ultra – Fast Chargers 350KW+” ตามทางหลวงสายหลัก เช่น ทางหลวงหมายเลข 1 และทางหลวงหมายเลข 4 โดยสถานีเหล่านี้เกือบทั้งหมด ใช้โมดูลพลังงานซิลิคอนคาร์ไบด์ SiC Power Modules เพื่อรับมือกับความร้อน และแรงดันไฟฟ้าสูง ..
ทั้งนี้ การเปลี่ยนจากเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ SiC Wafers ขนาด 6 นิ้วเป็น 8 นิ้ว ต้นทุนต่อชิปที่ต่ำลง ทำให้รถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs เข้าถึงได้ง่ายขึ้นสำหรับตลาดมวลชนในประเทศไทย .. อินเวอร์เตอร์แถบพลังงานกว้าง WBG Inverters ในอุตสาหกรรมหนัก เช่น เหล็กกล้า และเคมีภัณฑ์ เป็นต้นนั้น สนับสนุนการลดคาร์บอนในภาคอุตสาหกรรม Industrial Decarbonization และเป้าหมายความเป็นกลางทางคาร์บอน Carbon Neutrality Goal ของประเทศไทย ในปี 2593 .. ในยุทธศาสตร์การเป็นศูนย์กลางระดับภูมิภาค Regional Hubbing Strategy นั้น รัฐบาลไทย ตั้งเป้าที่จะยกระดับการวิจัย และพัฒนา ไปสู่ระดับแนวหน้าสุด “Front – End” ที่มีมูลค่าสูงให้เกิดขึ้นในประเทศไทย ลดการพึ่งพาการนำเข้าใด ๆ สำหรับรถยนต์ไฟฟ้าที่ผลิตในประเทศ Thai – Made EVs ..
สรุปแนวโน้มภาพรวมของไทย ในปี 2569 – 2571 นั้น สำหรับผู้เชี่ยวชาญที่ติดตามนโยบาย และโครงสร้างพื้นฐานด้านพลังงานของประเทศไทย ก็จะพบว่า สารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors คือ สะพานเชื่อมทางเทคนิคระหว่างเป้าหมายการอนุรักษ์ “30×30″ และข้อกำหนดทางอุตสาหกรรม EV 3.5 ที่ทำให้ประเทศไทย สามารถก้าวข้ามไปสู่ “ระบบนิเวศห่วงโซ่อุปทานแบตเตอรี่ที่ยั่งยืน และการจัดการวงจรชีวิตแบตเตอรี่ Sustainable Battery Supply Chain & Circular Economy” ที่สมบูรณ์แบบได้ ซึ่งหมายถึง พวกมัน คือ เครื่องมือสำคัญที่ทำให้เป้าหมายสัดส่วนพลังงานสะอาดที่ทะเยอทะยานในแผนพัฒนากำลังผลิตไฟฟ้าของประเทศไทย ปี 2567 – 2580 หรือ Power Development Plan: PDP 2024 นั้น เป็นไปได้ทั้งในเชิงกายภาพ และเศรษฐกิจ ตลอดจนบรรลุความสำเร็จได้ในที่สุดจากนี้ไป นั่นเอง ..
คาดการณ์ตลาดเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้างทั่วโลก Global Wide Band Gap: WBG Semiconductors Market ..
ตลาดเซมิคอนดักเตอร์แถบความถี่กว้างทั่วโลก Global Wide Bandgap: WBG Semiconductor Marketกำลังเข้าสู่ช่วงการเติบโตสูง โดยได้รับแรงหนุนจากการเปลี่ยนไปใช้อย่างรวดเร็ว Aggressive Transition ในสถาปัตยกรรมรถยนต์ไฟฟ้า 800 V EV Architectures, การขยายตัวของ 5G & 6G Expansion และการบูรณาการพลังงานหมุนเวียน Renewable Energy Integration ..
ณ ปี 2569 ตลาดนี้ มีลักษณะเด่น คือ การเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญไปสู่การผลิตขนาดใหญ่ Significant Shift Toward Large – Scale Manufacturing ได้แก่ เวเฟอร์ Wafers ขนาด 8 นิ้ว และการครอบงำของซิลิคอนคาร์ไบด์ Dominance of Silicon Carbide: SiC ในการใช้งานอุปกรณ์ไฟฟ้าอิเล็กทรอนิกส์ หรือระบบไฟฟ้าที่ต้องจัดการกับพลังงานระดับสูง High – Power Applications ..
อย่างไรก็ตาม มูลค่าตลาดแตกต่างกันไปตามขอบเขตแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG ทั้งหมดเทียบกับส่วนประกอบกำลังไฟฟ้าเฉพาะ Specific Power Components ซึ่งสะท้อนให้เห็นถึงเส้นทางการเติบโตที่แข็งแกร่งในระดับเลข 2 หลักของตลาดที่เกี่ยวข้องกัน 2 ตลาด ได้แก่ ตลาดเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้างทั่วโลก Global Wide Band Gap: WBG Semiconductors Market และตลาดเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแกลเลียมไนไตรด์ และซิลิคอนคาร์ไบด์ทั่วโลก Global Gallium Nitride: GaN & Silicon Carbide: SiC Power Semiconductor Market สรุปได้ดังนี้ :-
– อ้างถึงข้อมูลการสำรวจตลาดของ Precedence Research พบว่า ขนาดธุรกิจในตลาดเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้างทั่วโลก Global Wide Band Gap: WBG Semiconductors Market อยู่ที่ 2.44 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ ในปี 2568 และคาดว่าจะเพิ่มขึ้นจาก 2.80 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ ในปี 2569 เป็นประมาณ 8.42 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ ภายในปี 2577 ด้วยอัตราการเติบโตต่อปี Compound Annual Growth Rate: CAGR หมายถึง อัตราผลตอบแทนสำหรับการลงทุนในตลาดเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้างทั่วโลก Global Wide Band Gap: WBG Semiconductors Market ที่เติบโตจากยอดดุลเริ่มต้นไปถึงยังยอดดุลสิ้นสุด รวมสมมติฐานว่ากำไรจะถูกนำกลับมาลงทุนหมุนเวียนใหม่ทุกสิ้นปีของช่วงอายุการลงทุน อยู่ที่ค่า CAGR 14.74 % ในช่วงระยะเวลาที่คาดการณ์ ปี 2568 – 2577 .. การเติบโตของตลาด เกิดจากการนำเซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC Semiconductors และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN Semiconductors มาใช้เพิ่มมากขึ้นในรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs, โครงสร้างพื้นฐาน 5G Infrastructure และระบบพลังงานไฟฟ้าที่ประหยัดพลังงาน Energy – Efficient Power Systems ..
– อ้างถึงข้อมูลการสำรวจตลาดของ Fortune Business Insights พบว่า มูลค่าตลาดเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแกลเลียมไนไตรด์ และซิลิคอนคาร์ไบด์ทั่วโลก Global Gallium Nitride: GaN & Silicon Carbide: SiC Power Semiconductor Market อยู่ที่ 2.01 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ ในปี 2568 คาดการณ์ว่า ตลาดจะเติบโตจาก 2.53 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ ในปี 2569 เป็น 16.17 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ ในปี 2577 ด้วยอัตราการเติบโตต่อปี Compound Annual Growth Rate: CAGR หมายถึง อัตราผลตอบแทนสำหรับการลงทุนในตลาดเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแกลเลียมไนไตรด์ และซิลิคอนคาร์ไบด์ทั่วโลก Global Gallium Nitride: GaN & Silicon Carbide: SiC Power Semiconductor Market ที่เติบโตจากยอดดุลเริ่มต้นไปถึงยังยอดดุลสิ้นสุด รวมสมมติฐานว่ากำไรจะถูกนำกลับมาลงทุนหมุนเวียนใหม่ทุกสิ้นปีของช่วงอายุการลงทุน อยู่ที่ค่า CAGR 26.10 % ในช่วงระยะเวลาคาดการณ์ ปี 2568 – 2577 ..
ภูมิภาคเอเชียแปซิฟิก Asia Pacific คือ ผู้นำตลาดเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง Wide Band Gap: WBG Semiconductors Market ในปี 2568 โดยครองส่วนแบ่งรายได้มากที่สุดถึง 46 % .. ความโดดเด่นนี้ เกิดจากระบบนิเวศการผลิตที่แข็งแกร่งของภูมิภาค โดยเฉพาะในจีน China, ญี่ปุ่น Japan, เกาหลีใต้ South Korea และไต้หวัน Taiwan ซึ่งมีโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง และห่วงโซ่อุปทานที่มั่นคง WBG Fabs & Semiconductor Supply Chains are Well – Established .. การใช้งานรถยนต์ไฟฟ้า Electric Vehicles: EVs, ระบบอัตโนมัติทางอุตสาหกรรม Industrial Automation และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค Consumer Electronic Devices ที่เพิ่มขึ้น ส่งผลให้มีการใช้เทคโนโลยีซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN ในโมดูลพลังงาน Power Modules และอุปกรณ์ RF Devices เพิ่มมากขึ้น .. นอกจากนี้ โครงการริเริ่มของบริษัท Samsung Electronics และ LG Innotek ในการนำเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง Wide Band Gap: WBG Semiconductors มาใช้ในระบบส่งจ่ายพลังงานไฟฟ้า Power Distribution Systems: PDS สำหรับศูนย์ข้อมูลยุคใหม่ Next – Gen Data Centers ยังช่วยกระตุ้นตลาดในภูมิภาคนี้อีกด้วย ..
ทั้งนี้ ตลาดเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้างในภูมิภาคเอเชียแปซิฟิก Asia Pacific Wide Band Gap: WBG Semiconductors Market มีมูลค่า 1.12 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ ในปี 2568 และคาดว่าจะเติบโตขึ้นเป็นประมาณ 3.92 พันล้านเหรียญสหรัฐฯ ในปี 2577 ด้วยอัตราการเติบโตต่อปี อยู่ที่ค่า CAGR 14.87 % ในช่วงระยะเวลาที่คาดการณ์ ปี 2568 – 2577 ..
ขณะที่ กลุ่มอุปกรณ์ไฟฟ้าอิเล็กทรอนิกส์ Power Electronics Segment กำลังครองส่วนแบ่งรายได้ที่ใหญ่ที่สุดในตลาดเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง ในปี 2568 คิดเป็น 41% ของตลาดทั้งหมด เนื่องจากการใช้งานซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN อย่างแพร่หลายในแอปพลิเคชันที่มีประสิทธิภาพสูง และความหนาแน่นกำลังสูง High – Efficiency, High – Power Density Applications เช่น มอเตอร์ขับเคลื่อนอุตสาหกรรม Industrial Motor Drives และระบบสวิตช์แรงดันสูง High – Voltage Switching Systems .. ความต้องการเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้างWBG Semiconductors ในระบบอิเล็กทรอนิกส์ กำลังเพิ่มขึ้นเนื่องจากรูปทรง และเสถียรภาพทางความร้อนที่เหนือกว่า ทำให้สามารถรับแรงดันพังทลายได้สูงขึ้น และลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า นอกจากนี้ โมดูลไฟฟ้ากำลังเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้างรุ่นใหม่ Next – Generation WBG Semiconductor Power Modules ที่ออกแบบมาสำหรับตัวแปลงอุตสาหกรรม Industrial Converters และเบรกเกอร์วงจรโซลิดสเตท Solid – State Circuit Breakers กำลังผลักดันการเติบโตของกลุ่มนี้ต่อไป ..
คาดหมายได้ว่า กลุ่มผลิตภัณฑ์รถยนต์ไฟฟ้า และโครงสร้างพื้นฐานการชาร์จ EV & Charging Infrastructure Segment จะขยายตัวด้วยอัตราการเติบโตต่อปี อยู่ที่ค่า CAGR สูงที่สุดในอนาคตอันใกล้นี้ เนื่องจากแรงผลักดันที่เพิ่มขึ้นของการเปลี่ยนไปใช้พลังงานไฟฟ้าในการคมนาคมขนส่ง Increasing Momentum of Mobility Electrification และนโยบายของภาครัฐในหลายประเทศในการขยายโครงสร้างพื้นฐานการชาร์จ Expand Charging Infrastructure .. การใช้งานรถยนต์ไฟฟ้า Adoption of Electric Vehicles: EVs ทำให้จำเป็นต้องใช้อุปกรณ์แถบพลังงานกว้าง Pacific Wide Band Gap: WBG Devices ในอินเวอร์เตอร์สำหรับระบบขับเคลื่อน Traction Inverters, เครื่องชาร์จเร็วกระแสตรง DC Fast Chargers และเครื่องชาร์จในรถยนต์ Onboard Chargers ..
ความต้องการอุปกรณ์ไฟฟ้ากำลังอิเล็กทรอนิกส์ที่ประหยัดพลังงานที่เพิ่มขึ้น Growing Demand for Energy – Efficient Power Electronics คาดว่าจะสร้างโอกาสสำคัญให้กับตลาด เมื่อเปรียบเทียบกับซิลิคอน Silicon: 14Si แล้ว พบว่า เซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง WBG Semiconductors ขนาดเดียวกันมีค่าการนำความร้อนสูงกว่า Higher Thermal Conductivity และทนทานต่อแรงดันพังทลายสูงกว่า Higher Breakdown Voltage ทำให้สามารถออกแบบได้อย่างมีประสิทธิภาพ .. บริษัทฯ สาธารณูปโภคใช้ทรานซิสเตอร์ที่ใช้แกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN ในโครงข่ายระบบสายส่งกำลังไฟฟ้าอัจฉริยะ Smart Grids และหม้อแปลงโซลิดสเตท Solid – State Transformers เพื่อกระจายโหลดอย่างชาญฉลาด .. นวัตกรรมดังกล่าว สอดคล้องกับกฎหมายด้านพลังงานในหลายส่วนของโลก Comply with Energy Legislation in Various Parts of the Globe รวมถึงโครงการปรับปรุงโครงข่ายระบบสายส่งกำลังไฟฟ้า Grid Modernization Programs ในสหรัฐฯ US, สหภาพยุโรป EU, จีน China และญี่ปุ่น Japan ซึ่งทั้งหมดที่กล่าวถึงนี้ ช่วยกระตุ้นตลาดให้เติบโตได้ด้วยความเร่งต่อเนื่องต่อไปในช่วงระยะเวลาที่คาดการณ์ ..
สรุปส่งท้าย ..
ปัจจุบัน ความก้าวหน้าทางเทคโนโลยี ได้กลายเป็นตัวชี้วัดความสามารถในการแข่งขันของแต่ละประเทศ
การพัฒนาของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชิ้นเล็กๆ อย่างเช่น เซมิคอนดักเตอร์ Semiconductors และรวมถึงสารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductors เหล่านี้นั้น จึงมีความหมายอย่างยิ่งต่อการเติบโตของภาคอุตสาหกรรมทั่วโลก Growth of the Global Industrial Sector หมายถึง อุปกรณ์ขนาดจิ๋วเหล่านี้ มีความสำคัญต่อระบบเศรษฐกิจ และสังคมของโลกยุคใหม่ รวมถึงการเปลี่ยนผ่านพลังงานไปสู่การใช้พลังงานหมุนเวียน Renewable Energy Transition จากนี้ไปอย่างหลีกเลี่ยงไม่ได้ด้วยเช่นกัน ..
ภาคอุตสาหกรรมทั่วโลก Worldwide Industrial Sector ใช้พลังงานไฟฟ้า อยู่ที่มากกว่า 10,000+ เทราวัตต์ชั่วโมง Terawatt – Hours: TWh ต่อปี .. เมื่อจินตนาการถึงประโยชน์ด้านสิ่งแวดล้อม Ecological Benefit หากการเพิ่มประสิทธิภาพเพียง 1 % ในภาคส่วนนี้ จะสามารถประหยัดพลังงานไปได้ 100 เทราวัตต์ชั่วโมง Terawatt – Hours: TWh ต่อปี และลดการปล่อยก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์ CO2 ได้อย่างน้อย 32 ล้านตันต่อปี ซึ่งนั่นคือ สิ่งที่องค์การพลังงานระหว่างประเทศ International Energy Agency: IEA ได้คาดการณ์ไว้ ..
ความท้าทาย The Challenge คือ เทคโนโลยีซิลิคอนแบบดั้งเดิม Conventional Silicon: 14Si Technology ด้วยข้อจำกัดทางกายภาพ Physical Limitations โดยธรรมชาติ ไม่สามารถตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นของตลาดสำหรับพลังงานที่มีความหนาแน่นสูงขึ้น Denser Power, การย่อขนาด Miniaturization และประสิทธิภาพการแปลงพลังงานที่สูงขึ้น Heightened Energy – Conversion Efficiency ได้ จึงต้องมีวัสดุแถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Materials โดยเฉพาะซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN .. วัสดุเหล่านี้ สัญญาว่าจะให้ประสิทธิภาพที่เหนือกว่า ซิลิคอนแบบดั้งเดิม Traditional Silicon: 14Si อย่างมาก ..
ทั้งนี้ สินค้าอิเล็กทรอนิกส์ของไทย Thai Electronic Products มีแนวโน้มขยายตัวเพิ่มขึ้น เนื่องจากเป็นสินค้าที่มีความจำเป็นต่อการผลิตของสินค้าในอุตสาหกรรมสำคัญอื่น ๆ อาทิ อุตสาหกรรมยานยนต์ และอุตสาหกรรมเครื่องมือแพทย์ โดยสินค้าอิเล็กทรอนิกส์ Electronic Products ที่เป็นหนึ่งในสินค้าส่งออกหลักของไทย กำลังเผชิญกับความท้าทายจากเทคโนโลยีที่เปลี่ยนแปลงไปอย่างก้าวกระโดด ซึ่งส่งผลให้ภาคอุตสาหกรรม กำลังถูกทดแทนด้วยสินค้าเทคโนโลยีขั้นสูง High – Tech Manufacturing Products เช่น วัสดุสารกึ่งตัวนำแถบพลังงานกว้างที่ยั่งยืน Sustainable Wide Bandgap: WBG Semiconductors ที่ใช้ในการผลิตสมาร์ทโฟน Smart Phone, เทคโนโลยี 5G & 6G และสินค้า Solid State Drive: SSD เป็นต้น ซึ่งเป็นที่ต้องการของตลาดโลกเพิ่มมากขึ้น ..
จนถึงปัจจุบัน พบว่า อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของไทย Thailand’s Semiconductor Industry กำลัง
เติบโตขึ้นอย่างรวดเร็ว และมีศักยภาพที่จะเป็นผู้เล่นหลักในห่วงโซ่อุปทานโลก Major Player in the Global Supply Chain ในอนาคตอันใกล้นี้ได้ .. ตลาดเซมิคอนดักเตอร์ของไทย Thailand’s Semiconductor Market สร้างรายได้สูงถึง 10,240 ล้านเหรียญสหรัฐฯ ในปี 2567 และคาดว่าจะขยายตัวต่อเนื่องด้วยอัตราการเติบโตต่อปี อยู่ที่ค่า CAGR 11.99 % ไปจนถึงปี 2572 ..
โรงงานเวเฟอร์ซิลิกอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC Wafer Factory ขนาดใหญ่แห่งแรกของไทย คาดว่าจะเริ่มดำเนินการได้ ภายในต้นปี 2570 คือ ตัวอย่างอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductor Industry ของไทยที่น่าตื่นเต้น โดยเป็นโครงการร่วมทุน Joint Venture ระหว่างบริษัท ปตท.จำกัด (มหาชน) หรือ PTT Public Company Limited และบริษัท Hana Microelectronics Public Company Limited .. โครงการนี้ คาดว่าจะใช้งบลงทุนประมาณ 11,500 ล้านบาท หรือ 350 ล้านเหรียญสหรัฐฯ ซึ่งประเทศไทย Thailand จะได้รับประโยชน์อย่างสูงจากการถ่ายทอดเทคโนโลยีโดยผู้ผลิตชิปชั้นนำของเกาหลีใต้ South Korean Chip Manufacturer เพื่อผลิตเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC Wafers ขนาด 6 นิ้ว และ 8 นิ้ว และอื่น ๆ อีกมากมายมาพร้อมด้วย ..
นอกจากนั้น เนื่องจากที่ตั้งเชิงยุทธศาสตร์โครงสร้างพื้นฐานที่แข็งแกร่ง รวมทั้งแรงงานที่มีทักษะของประเทศไทย ทำให้ประเทศไทย มีความได้เปรียบในการแข่งขัน ขณะที่ รัฐบาลไทย ได้จัดตั้ง “คณะกรรมการนโยบายอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ และอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูงแห่งชาติ National Semiconductor & Advanced Electronics Policy Committee” หรือ “บอร์ดเซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติ The National Semiconductor Board” โดยมีนายกรัฐมนตรี เป็นประธานฯ เพื่อผลักดันไทยสู่การเป็นศูนย์กลางผลิตเซมิคอนดักเตอร์ และอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูงในภูมิภาค ตั้งเป้าดึงการลงทุนกว่า 5 แสนล้านบาท ภายใน 5 ปี และเพื่อดึงดูดการลงทุนจากต่างประเทศ และพัฒนาแรงงานที่มีทักษะซึ่งคณะกรรมการฯ ดังกล่าวจะประกอบไปด้วยรัฐมนตรีในคณะรัฐมนตรี, เลขาธิการสภาพัฒนาการเศรษฐกิจและสังคมแห่งชาติ และประธานสภาอุตสาหกรรมแห่งประเทศไทย โดยปัจจุบัน ภาคเอกชนที่เป็นบริษัท NXP Manufacturing (Thailand) Co Ltd และบริษัท Silicon Craft Technology PLC คือ 2 บริษัทฯ ในประเทศไทยที่มีส่วนเกี่ยวข้องสำคัญในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง Wide Bandgap: WBG Semiconductor Industry ของไทย ..
ผลิตภัณฑ์ต่าง ๆ ที่ผลิตขึ้นในประเทศไทยของบริษัท NXP Manufacturing ได้แก่ ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Microcontrollers, Automotive MCUs สำหรับยานยนต์, MCU MCX ครอบคลุมการใช้งานอัจฉริยะ Intelligent Edge ที่หลากหลาย และโปรเซสเซอร์สำหรับยานยนต์ยุคใหม่ S32 Automotive Processors .. ขณะที่บริษัท ซิลิคอน คราฟท์ เทคโนโลยี จำกัด มหาชน Silicon Craft Technology PLC นั้น เชี่ยวชาญด้านการออกแบบไมโครชิป Designing Microchips โดยเฉพาะ RFID Integrated Circuits: ICs สำหรับหน่วยความจำ Memory Storage และไมโครโปรเซสเซอร์ Microprocessors รวมทั้งพวกเขา ยังเชี่ยวชาญในงานด้านเทคโนโลยีการสื่อสารระยะใกล้ Near – Field Communication: NFC Technologies มาพร้อมด้วย เป็นต้น ..
ทั้งนี้ เพื่อให้ประเทศไทย Thailand มุ่งไปสู่อนาคตระบบเศรษฐกิจสีเขียวที่ยั่งยืน Future Sustainable Green Economy และการลดการปล่อยก๊าซเรือนกระจก Green House Gases: GHGs ในห่วงโซ่กระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ Manufacturing Chain for Semiconductors ตลอดจนการผลิตซิลิคอนคาร์ไบด์ Silicon Carbide: SiC และแกลเลียมไนไตรด์ Gallium Nitride: GaN ตามความต้องการของตลาดได้อย่างมั่นใจ จึงต้องมีการทำงานร่วมกันของ Supply Chain ทั้งหลายอย่างมีนัยสำคัญ รวมถึงความพยายามจากผู้ใช้ปลายทาง End Users และหน่วยงานกำกับดูแลภาครัฐ Government Regulatory Agencies ที่ควรสนับสนุนการเปลี่ยนแปลงพื้นฐานการผลิตที่เหมาะสมในภาคอุตสาหกรรมเหล่านี้ ให้บรรลุเป้าหมายสำหรับการต่อสู้กับวิกฤติสภาพอากาศ Climate Crisis ..
การพิจารณาใช้นโยบาย และมาตรการภาครัฐต่าง ๆ ที่เข้มงวดของไทย รวมทั้งการใช้เงินลงทุนภาครัฐ และเอกชนที่มีศักยภาพ เพิ่มเติมให้มากขึ้นอีกไปพร้อมด้วยนั้น กลายเป็นสิ่งจำเป็นสำคัญที่ขาดไม่ได้ เพื่อตอบสนองความต้องการชิปเซมิคอนดักเตอร์แถบพลังงานกว้าง Demand of Wide Bandgap: WBG Semiconductor Chips ที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วในระบบพลังงานสะอาด Clean Energy Systems และการเปลี่ยนผ่านพลังงาน Energy Transition ด้วยการสร้างแหล่งพลังงานหมุนเวียนที่สะอาด Clean Renewable Energy Sources และการปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงาน Improving Energy Efficiency ให้สำเร็จได้ในที่สุดจากนี้ไป ..
คอลัมน์ : Energy Key
By โลกสีฟ้า ..
สนับสนุนโดย…..บริษัท พลังงานบริสุทธิ์ จำกัด (มหาชน)
ขอบคุณเอกสารอ้างอิง :-
Wide – Bandgap Semiconductors (SiC / GaN) | Infineon :-
https://www.infineon.com/technology/wide-bandgap-semiconductors-sic-gan
Powering the Future: The Rise of Wide Bandgap Semiconductors | Astute Electronics Ltd. :-
Global Wide Band Gap Semiconductors Market Size 2025 to 2034 | Precedence Research :-
https://www.precedenceresearch.com/wide-band-gap-semiconductors-market
Global GaN & SiC Power Semiconductor Market | Fortune Business Insights :-
https://www.fortunebusinessinsights.com/gan-sic-power-semiconductor-market-105987
Energy Transition : A Significant Structural Change in an Energy System :-
https://photos.app.goo.gl/Qnj3eGJobkzRHx7a9
The Renewable Energy & How to Save the World Documentary :-
https://goo.gl/photos/TusY3UndbtWjDfXx9
Role of Semiconductors in the Renewable Energy Transition :-
